突发!三星在中国西安的闪存芯片项目上再投资80亿美元

14.12.2019  11:40

  据外媒消息,三星电子(Samsung Electronics)将增加其在中国的投资,三星电子闪存芯片项目二期投资落地,数额达到80亿美元,以提高NAND闪存芯片的产量。

  据了解,2017年,三星宣布将在三年内向其生产NAND闪存芯片的西安工厂投资70亿美元。在这些投资阶段之前,三星电子一期投资108亿美元,建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目。

  这家韩国集团的投资之际,由于供应有限以及对第五代设备和网络的需求不断增长,预计明年存储器市场将反弹。

  三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商,这些芯片可以永久保存数据,并且可以在移动设备,存储卡,USB闪存驱动器和固态驱动器中找到。

  2012年,西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目,成为了三星海外投资历史上投资规模最大的项目。

  三星在NAND闪存方面的竞争对手包括韩国的SK海力士(000660.KS),美国的美光科技公司(MU.O)和东芝公司(6502.T)。

  有几家中国公司试图进入存储领域,尽管没有一家能成功与海外竞争对手竞争。

  去年秋天,扬子存储技术公司(YMTC)宣布将开始批量生产64层3D NAND芯片,这是大多数领先行业参与者的基准。

编辑:黄坤



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