西安电子科技大学师生近期在学术和文化研究等领域，参加多场国内外研讨会议。
宽带隙半导体技术重点实验室师生参加第十一届氮化物半导体国际会议（ICNS）会议
——该校宽带隙半导体技术重点实验室师生参加氮化物半导体国际会议（ICNS）会议。 第十一届氮化物半导体国际会议（International Conference on Nitride Semiconductors）于2015年8月30日至9月4日在北京国际会议中心举行。宽带隙半导体技术国家重点实验室的郝跃教授、张进成教授、马晓华教授、薛军帅博士、谢涌博士及祝杰杰等十位博士研究生参加了这次会议。
氮化物半导体国际会议每两年举办一次，该会议是III族氮化物半导体材料与器件研究领域最重要、最前沿的国际学术会议，内容涉及氮化物半导体物理、材料与器件的最新进展和研究动态。第十一届氮化物半导体国际会议为该系列会议首次在中国召开，来自世界各国的近800名该领域的专家和学者参加了交流和讨论。会议围绕氮化物半导体“材料生长”“光学器件”“电子器件”和“基础物理”四个主题开展研讨，集中就氮化物材料中的重要物理机制、材料生长及缺陷控制技术、氮化物器件性能提高面临的主要技术障碍和未来发展趋势等进行了深入讨论，为世界各地的学者提供了一个交流、互动的学术平台。会议期间，该校师生与国内外同行进行了深入的交流和探讨，对实验室和课题组相关研究成果进行了宣传展示。
会议第一天上午，郝跃主持由田野浩教授和中村修二教授的大会特邀报告，这两位都是2014年奖诺贝尔物理学奖获得者；会议期间，张进成作了大会邀请报告；博士研究生祝杰杰、侯斌和肖明分别作了大会口头报告，同时实验室有11篇文章作为主题论文发表。相关研究成果吸引了与会者的广泛关注，对实验室研究成果给予了高度评价。论文报告和与专家们的深入交流对该校宽禁带氮化物半导体材料和器件的研究有重要地推动作用。
西安电子科技大学副校长郝跃院士（中排左二）参加第538次香山会议
——郝跃院士受邀参加第538次香山会议介绍极性氮化物材料。 以“纳米能源和压电（光）电子学发展前沿研讨”为主题的第538次香山科学会议9月16日至17日在北京举行。中科院北京纳米能源所王中林院士、浙江大学张泽院士、该校副校长郝跃院士、北京科技大学张跃教授担任会议执行主席。郝跃作了《极性氮化物材料与电子器件研究新进展》的中心议题报告。
本次会议旨在促进中国在纳米能源和压电（光）电子学领域的发展，通过学科交叉，实现跨学科、跨行业、跨地域的产学研结合，在国内凝聚优势力量，促进该领域协同发展和重点攻关，进一步巩固中国在该领域的学术地位，突破相关科学发展和技术应用瓶颈，实现技术突破，发展具有自主知识产权的核心高技术。
来 自国内外30多个单位的50余名专家学者应邀出席了会议。与会的多学科跨领域专家学者围绕纳米发电机和自驱动系统、微纳能源与蓝色能源技术、压电（光）电子学中的关键问题及应用三个本次会议的中心议题展开了深入讨论。
香山科学会议是由科技部（前国家科委）发起，在科技部和中国科学院的共同支持下于1993年正式创办，相继得到国家自然科学基金委员会、中国科学院学部、中国工程院、教育部、解放军总装备部、前国防科工委和中国科学技术协会等部门的支持与资助。香山科学会议是中国科技界以探索科学前沿、促进知识创新为主要目标的高层次、跨学科、小规模的常设性学术会议。会议实行执行主席负责制。会议以评述报告、专题报告和深入讨论为基本方式，探讨科学前沿与未来。
——民盟西电科大盟员谢永平参加民盟中央盟史研究座谈会。 9月10日上午，民盟中央研究室来陕调研盟史研究座谈会在西安市新城广场荣江酒店举行。民盟西电科大总支宣传委员兼参政议政委员谢永平副教授,作为省直机构盟史研究专家代表之一出席了座谈会。座谈会由民盟陕西省委专职副主委车建营主持。
会上，民盟中央研究室主任刘圣宇对民盟中央关于盟史修订工作的目标内容、任务要求以及民盟中央领导相关指示精神等作了重点传达。民盟陕西省委秘书长詹毅立回顾了陕西民盟历史及代表人物，介绍了陕西民盟在盟史研究方面的成果。
座谈交流环节，谢永平作了发言。他主要围绕民盟代表人物、重大事件的史料收集等方面提出了意见建议。他认为，开展盟史研究一要重视一手史料收集工作，二要借此推进盟史宣传，使广大盟员及群众全面正确地认识民盟历史和党派性，更加坚定地坚持中国特色的政党制度。
（责任编辑：徐绒绒）
