“战略性先进电子材料”重点专项“第三代半导体的衬底制备及同质外延”项目中期检查在苏州进行

　　近日，“战略性先进电子材料”重点专项管理办公室（简称“专项办”）组织专家在苏州对“第三代半导体的衬底制备及同质外延”项目进行了中期检查。
　　会上，专项办根据国家重点研发计划相关管理办法对中期检查提出了要求。专家组听取了项目负责人的工作汇报，审阅了相关技术和财务资料，考察了实施现场，经讨论质询后认为，项目总体进展顺利，在大尺寸单晶衬底、超薄材料、微波功率器件等方面的研究上取得了重要进展。专家组建议项目牵头单位加强对参与单位项目经费管理，注重产业化技术的稳定性研究和降低成本，更好地完成项目任务和目标。
　　“第三代半导体的衬底制备及同质外延”项目的主要目标是针对第三代半导体产业对同质衬底的迫切需求，开展衬底制备及同质外延研究，开发低缺陷密度的生长动力学控制、电学性质调控、衬底分离等技术，研制高质量同质外延材料，应用于光电子及功率电子器件，支撑我国第三代半导体产业实现快速发展。