辽宁省成功研制90-65nm等离子体增强化学气相沉积设备

　　日前，国家02重大专项“90-65nm等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用”项目在沈阳顺利通过验收。该项目成功开发出了具有完全自主知识产权的适用于12英寸芯片生产线的90-65nm等离子体增强化学气相沉积设备。此前该技术产品完全被美日等发达国家垄断，设备进口严重受限，极大地制约了国产芯片产业发展。
      该项目由沈阳拓荆科技有限公司、中科院沈阳科学仪器股份有限公司联合承担，联合中国科学院微电子研究所共同围绕12英寸PECVD设备的架构平台设计、薄膜工艺开发、仿真理论计算、设备可靠性及工艺可重复性、薄膜均匀性控制、射频技术等关键技术问题展开研究和攻关，掌握了具有自主知识产权的高质量薄膜材料生长设备成套先进工艺，申请专利300项，建立技术标准9项，形成了5项新产品，其中12英寸设备荣获国家重点新产品。产品通过了国内12英寸集成电路生产线考核，各项指标达到国际先进水平，国产化率达到70%，并且带动了沈阳科仪、沈阳富创、新松、中科博微、上海中微等一批国内零部件及系统软件供应商。目前设备已销售至中芯国际、苏州晶方、武汉新芯、厦门联芯、华天科技、华进半导体等国内主要12英寸生产线和研发线，产品性能及服务得到了用户的一致认可。
      作为IC装备四大核心装备之一，该项目的完成填补了国内空白，打破了国际垄断，提升了我国集成电路产业整体竞争力。